專(zhuan)業從事各種高精密研磨設(she)備、拋光(guang)設(she)備及其(qi)配套產(chan)品和消耗材料的高新(xin)企業
在陶瓷拋光機進行CMP過程中顆粒與拋光片相互作用；集成電線si襯底，介電層，金屬層等，它們的拋光機理目前還沒均未得到清楚的認識，在沒有氧化劑條件下或者研磨顆粒條件下的拋光液中進行試驗都表明不可能得到要求的拋光去除量。CMP過程中的機械作用通過在兩種典型的接觸模式下存在，即流體動力學模型和固體接觸模型，當拋光表面承受壓力較小，相對速度較大時，在拋光墊與拋光片表面間形成一層薄流體膜，拋光液中固體顆粒大小比流體膜厚度小得多，大部分顆粒對材料去除沒有貢獻，材料去除量主要以懸浮在拋光液中顆粒的三體研磨和拋光液中化學腐蝕作用，壓力較大，相對速度較小時，被拋光表面片與拋光墊表面相互接觸，現體和三體磨損同時存在。在在兩體磨損中嵌入拋光墊表面的顆粒與犁削效應實現材料去除，在拋光墊與拋光表面未接觸區的凹陷處的顆粒不會嵌入拋光墊，沒有起到作用以致三體磨損。相對拋光片/拋光墊接觸區民生的兩體磨損而言，三體磨損材料的去除量可以忽略。
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