化學機械拋光是目前最為常見的半導體材料表面平面技術，它是機械摩擦與化學腐蝕相結合了兩者優點的工藝；可以獲得較為完美的晶片表面。硅片在采用陶瓷拋光機進行拋光工序時，影響加工過程中去除速率與加工表面質量的因素以以下幾點為主：

化學因(yin)素(su)其中(zhong)(zhong)包含(han)著：拋光(guang)(guang)液(ye)中(zhong)(zhong)的(de)PH值、拋光(guang)(guang)液(ye)的(de)濃度值、流量拋光(guang)(guang)過程中(zhong)(zhong)控制的(de)溫度。其中(zhong)(zhong)以拋光(guang)(guang)液(ye)中(zhong)(zhong)的(de)PH值對去(qu)除(chu)率(lv)影響最(zui)為顯著。有(you)實驗(yan)表明(ming)隨著拋光(guang)(guang)液(ye)的(de)PH值增大，拋光(guang)(guang)去(qu)除(chu)率(lv)逐步提高，但是(shi)當PH值達到一定值后，去(qu)除(chu)率(lv)會迅速降(jiang)低，而且表面質量也有(you)所下降(jiang)。所以在硅片拋光(guang)(guang)過程中(zhong)(zhong)選擇適當的(de)PH值是(shi)重要(yao)的(de)參數(shu)之一。

在硅(gui)片拋光(guang)(guang)(guang)時壓(ya)(ya)力(li)(li)過(guo)(guo)小會(hui)使(shi)機械(xie)拋光(guang)(guang)(guang)與化(hua)學拋光(guang)(guang)(guang)速度不(bu)均(jun)衡，形成邊緣腐(fu)蝕(shi)過(guo)(guo)快(kuai)，中間(jian)腐(fu)蝕(shi)慢造成表(biao)面平整度下降，當機械(xie)拋光(guang)(guang)(guang)速度小于化(hua)學拋光(guang)(guang)(guang)速度時，就(jiu)會(hui)出現桔(jie)皮波紋或者腐(fu)蝕(shi)坑(keng)等(deng)。反之，壓(ya)(ya)力(li)(li)過(guo)(guo)大機械(xie)拋光(guang)(guang)(guang)速度大于化(hua)學拋光(guang)(guang)(guang)速度，表(biao)面的(de)(de)(de)平整度提高后則容易出現劃傷，或拋光(guang)(guang)(guang)過(guo)(guo)程(cheng)中容易碎片等(deng)現象；選擇適當的(de)(de)(de)拋光(guang)(guang)(guang)壓(ya)(ya)力(li)(li)也是硅(gui)片加(jia)工過(guo)(guo)程(cheng)中的(de)(de)(de)重要參數之一(yi)。

在拋(pao)(pao)光(guang)過(guo)程(cheng)中拋(pao)(pao)光(guang)墊可以使拋(pao)(pao)光(guang)液(ye)均(jun)勻(yun)分布(bu)并且能提(ti)供新的拋(pao)(pao)光(guang)液(ye)補進，同(tong)時(shi)排出化學反應產(chan)生(sheng)的異(yi)物(wu)。在拋(pao)(pao)光(guang)過(guo)程(cheng)中起到穩定性(xing)(xing)、均(jun)勻(yun)性(xing)(xing)與重復性(xing)(xing)的作業。拋(pao)(pao)光(guang)墊材料選(xuan)用也是(shi)很重要的參數(shu)之一。

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